国家/地区 美国（417） 韩国（389） 日本（369） 世界知识产权组织（290） 中国（241） 欧洲专利局（EPO）（157） 台湾（82） 加拿大（30） 印度（30） 德国（24） 新加坡（19） 澳大利亚（14） 西班牙（13） 俄罗斯（13） 墨西哥（12） 香港（11） 英国（10） 巴西（9） 以色列（8） 法国（7）
IPC部 C（737） H（737） B（420）
G（52） D（18） F（8）
A（7）
IPC大类 C01（737）
IPC小类 C01B（737） H01L（330） H01B（284）
B82Y（268） H01M（211） H01G（122）
B32B（118） C23C（114） B01J（98）
B82B（87） B05D（59） C08K（33）
C01G（28） C09D（27） H01J（27）
IPC C01B031/02（737）
发明人 WANG Y（23） CHOI J Y（21） CHOI J（19）
ZHOU M（19） SHIN H J（17） LEE J（16）
HONG B H（15） SHIN H（14） KIM H（12）
KIM J（12） LEE J H（12） SAKAI T（12）
AHN J（11） YAMAZAKI Y（11） KIM S（10）
公开年 2013（166） 2014（139） 2012（121） 2015（88） 2011（82） 2016（57） 2010（25） 2017（22） 2009（17） 2003（4） 2018（4） 2005（3） 2001（2） 2002（2） 2004（2） 2007（2）
申请年 2012（152）  2013（139）  2011（138）  2014（76）  2010（69）  2015（58）  2009（44）  2016（32）  2008（8）  2002（6）  2007（4）  2003（2）  2004（2）  2017（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（48） UNIV SUNGKYU.（32） SEMICONDUCTO.（21） TOSHIBA KK（21）
UNIV SUNGKYU.（21） OCEANS KING .（19） FUJITSU LTD（18） SAMSUNG TECH.（18）
DOKURITSU GY.（16） HANWHA TECHW.（15） KOREA ADVANC.（14） KOREA ADV IN.（13）
HON HAI PREC.（11） HONGFUJIN PR.（11） KOREA INST S.（11） NAT INST MAT.（11）
UNIST ACADIN.（11） UNIV TSINGHU.（11） UNIV YONSEI .（11） GRAPHENE SQU.（10）

Diamagnetism system for e.g., magnetic screening applications comprises metallic foil or substrate having surface that is coated by a metallic layer, another substrate having surface coated by graphene, and a coating of an alkane.

GULIAN A, DULAL R, KAWASHIMA Y, TEKNOWIJOYO S, CHAHID S

Fabricating three dimensional graphene/carbon nanotube/inorganic oxide structure used in electrode for lithium ion battery, involves preparing mixed solution comprising complex salt of porphyrin-based compound and reduced-graphene oxide.

PARK H, BEUM J P

Producing thin film graphene oxide-bonded metal foil current collector for battery or supercapacitor, comprises preparing graphene oxide gel, dispensing and depositing layer of gel onto primary surfaces of foil, removing and heat treating.

ZHAMU A, LIN Y, JANG B Z

Graphene composite of porous structure used in electrode, comprises laminate of reduced graphene, and carbon nanotubes present in interface between layers of reduced graphene.

KIM K B, CHOI Y J

Making graphene macro-assembly (GMA)-fullerene composite i.e. used to make supercapacitor electrode, comprises three-dimensional network of graphene sheets crosslinked by covalent carbon bonds, and incorporating fullerene compound into GMA.

CAMPBELL P G, BAUMANN T F, BIENER J, MERRILL M, MONTALVO E, WORSLEY M A, BIENER M M, HERNANDEZ M R C

Manufacturing electrode used for capacitor, comprises forming an oxidized graphene thin film by applying composition containing oxidized graphene on a substrate, and irradiating obtained graphene oxide film with light.

SUK Y Y, KYU Y I, HWAN S J, NA K B, GYOO K I, HONG S

Synthesizing reduced graphene oxide comprises selecting carbonaceous material consisting of soot obtained directly from residual soot formed on cooking grills, mixing soot with acid, adding first oxidant, adding second oxidant and isolating.

AWAD M A G, HENDI A A, ORTASHI K M O, LAREF A, MADKHALI N A, ALDAKHIL H A, ALABBAS F Y M, JASSIM L

Graphene oxide-carbon complex for e.g. membrane electrode assembly, comprises oxidized graphene, porous structure comprising polymer comprising cationic functional group, and carbon contained in portion of surface/pores of porous structure.

LEE W, KIM S H, HWANG G H, CHO J Y, KIM K, CHOI R

Preparation of carbon nanotubes and graphene for forming conductive film, involves heat-treating mixture of carbon nanotube and graphene precursors and intercalating compound, peeling resultant in solvent, and removing impurities.

JEON S, KIM J, JIN K, JUNG M K, SEOK W J

Preparation of graphene-carbon nanotube laminate used in e.g. electrode material, involves dispersing graphene in aqueous solution of metal hydroxide, heating, laminating graphene and carbon nanotubes by dispersing in dispersion medium.

TANG JIE, ZHANG KUN, LI JING, YUAN JINSHI, QIN LUCHANG, SHINYA NORIO, TANG J, ZHANG K, LI J, YUAN J, QIN L, SHINYA N